NPV110-9-555 - 575BN

NPV110-9-555 - 575BN

NanoPV Solar Inc.
电 池 技 术: TOPCon
功率范围: 555 ~ 575 Wp
地区: 美国 美国
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产品特点

类型 单晶硅
产品型号
555 560 565 570 575
质量保证  
产品质量保证 12 年
功率输出保证 25年期84.8%输出功率保证
电性能参数(STC)  
峰值功率 (Pmax)
555 Wp 560 Wp 565 Wp 570 Wp 575 Wp
峰值工作电压(Vmpp)
32.95 V 33.1 V 33.25 V 33.4 V 33.55 V
峰值工作电流(Impp)
16.84 A 16.93 A 16.99 A 17.08 A 17.14 A
开路电压(Voc)
39.47 V 39.63 V 39.78 V 39.94 V 40.1 V
短路电流(Isc)
17.98 A 18.03 A 18.07 A 18.11 A 18.16 A
组件效率
21.2 % 21.4 % 21.6 % 21.8 % 22 %
功率偏差(正)
+ 3 % + 3 % + 3 % + 3 % + 3 %
  标准测试条件(STC):太阳能辐射通量1000W/m2,大气参数1.5,组件温度25℃。
电性能参数(NOCT)  
峰值功率 (Pmax)
420.1 Wp 424.2 Wp 427.7 Wp 431.9 Wp 435.3 Wp
峰值工作电压(Vmpp)
30.58 V 30.72 V 30.86 V 30.99 V 31.13 V
峰值工作电流(Impp)
13.74 A 13.81 A 13.86 A 13.93 A 13.98 A
开路电压(Voc)
36.71 V 36.86 V 37 V 37.15 V 37.3 V
短路电流(Isc)
14.75 A 14.79 A 14.82 A 14.85 A 14.89 A
最大耐久温度 44±2 °C
  电池片标称工作温度(NOCT):太阳能辐射通量800W/m2,大气参数1.5,环境温度20℃,风速1 m/s。
温度特性  
工作温度 -40~85 °C
温度系数(Pmax) -0.34 %/°C
温度系数(Voc) -0.25 %/°C
温度系数(Isc) 0.04 %/°C
系统集成参数  
最大系统电压 1500 V
保险丝额定电流 30 A
物理参数  
组件尺寸(高/宽/厚) 2384x1096x35 mm
重量 29 kg
电池片数量 110
玻璃类型 防反射镀膜,钢化
边框类型 阳极氧化铝
旁路二极管数 3
接线盒防护等级 IP 68
电缆截面 4 mm2
电缆长度 350 mm
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NanoPV Solar Inc.

+1 6098 513 666
www.nano-pv.com
美国
103 Carnegie Center Dr, Princeton, NJ, 08540
注意: 您的询盘将直接发送至NanoPV Solar Inc.

晶体硅

产量 (MW)/: MWp
单晶硅,多晶硅
功 率 范 围(Wp): 315-555

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